台积电将于2024年取得高NAEUV光刻机，有助于2nm工艺量产

TSMC研究将军米玉杰博士透露，TSMC将于2024年收购ASML下一代极紫外光刻设备，为客户开发相关基础设施和架构解决方案。

负责业务发展的副总裁张此前曾表示，获得设备后，前期主要用于与合作伙伴的联合研究。

根据之前公布的信息，高NA EUV光刻设备的单价预计为4亿美元，是现有EUV光刻设备的两到三倍。

本站报道称，三星电子副董事长李在镕此前与ASML就引进荷兰半导体设备制造商的下一代极紫外光刻设备进行了会谈，并就引进今年生产的EUV光刻设备和计划明年推出的高数值孔径EUV光刻设备达成了一致。

今年早些时候，英特尔还宣布，它已经签署了一份合同，购买5台这样的设备，用于2025年生产1.8纳米芯片TSMC 6月16日在美国硅谷技术研讨会上也表示，将于2024年在全球首次将高NA EUV光刻设备引入其工艺

目前，先进的光刻技术是衡量芯片制造上限的关键因素，这种高NA光刻技术有望将尺寸缩小66%在芯片制造领域，虽然现在的3nm和5nm并不能代表实际的栅宽，但是越小越好

据报道，这种新的EUV系统可以实现0.55的数值孔径与之前配备有0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度将得到提高，并且可以实现更高分辨率的构图

据报道，目前ASML每台机器的成本高达1.6亿美元，各大芯片制造商计划在未来几年内投资超过1000亿美元建立额外的制造工厂，以满足进一步的半导体需求。

官方已经透露，这种高NA的机器将比现有的大30%，而之前的大到难以想象，甚至需要三架波音747来装载它们。

TSMC此前宣布，其目标是在2025年量产其N2工艺与3纳米工艺节点不同，2纳米工艺节点将使用全栅场效应晶体管TSMC表示，与3纳米工艺相比，它的性能将提高10%至15%，功耗也可降低25%至30%预计N2工艺将于2024年底做好风险生产准备，2025年底进入量产客户将在2026年收到第一批芯片

扩展阅读:

每套近20亿元，ASML下一代EUV光刻机将提前量产。

ASML分享高NA EUV光刻机最新进展:2024—2025年入厂目标。

三星与ASML达成协议:购买下一代高NA EUV光刻机

TSMC:2024年，它将拥有先进的下一代ASML高NA EUV掩模对准器。

每套价值4亿美元:ASML正在开发下一代高NA掩模对准器，或将于2023年上半年亮相。